چکیده :

در سال‌های اخیر بعد از کشف TMR , GMR در چند لایه‌های مغناطیسی علاقه شدیدی به گسترش این موضوع در بین محققین به وجود آمد.

در این اثر علاوه بر درجه آزادی از اسپین آن نیز استفاده شده است. با پیشرفت این تحقیقات ، کاربرد وسیع آن در ادوات ذخیره کننده اطلاعات دیجیتالی مشخص شد. این پدیده‌های اسپینی به سرعت به اجراء در آمده‌اند، مخصوصاً از بعد از سال ۱۹۸۸ پس از مشاهده نخستین GMR.

کلمات کلیدی در این پروژه ، حافظه‌های غیر فرار ، مقاومت مغناطیسی عظیم و مقاومت مغناطیسی تونل زنی ، ROM , MRAM , PAM ، دیسک‌های مغناطیسی و Shodow RAM و. .. می‌باشد.

 

مقدمه :

در این پروژه به بررسی انواع حافظه‌ها ، چگونگی عملکرد دیسک‌ها و نیز نحوه ی ضبط اطلاعات بر روی آنها و به طور کل ضبط روی مواد مغناطیسی می‌پردازیم.

هنگامی که اطلاعات بر روی یک به اصطلاح واسطه ذخیره یا ضبط می‌گردند (در اشکال متفاوت ضبط مغناطیسی) ، در می‌یابیم همواره چه در زمان گذشته و چه در زمان حال این فن آوری بوده است که بر صنعت تسلط داشته است. ذرات مغناطیسی با لایه‌های نازک دارای کورسیوتیه چند صد. … هستند و به آسانی قادر به حفظ یک الگوی مغناطیسی از اطلاعات ثبت شده ( در چگالی ده‌ها هزار بیتی ) برای صد‌ها سال بوده و با این حال هنگامی که مطلوب باشد، الگو با نوشتن اطلاعات جدید بر روی قدیم به سادگی قابل تغییر می‌باشد.

فهرست مطالب

عنوان

چکیده

مقدمه

فصل اول ) نانوتکنولوژی :

۱-۱-      آغاز نانوتکنولوژی

۱-۲-      نانوتکنولوژی از دیدگاه جامعه شناختی

۱-۳-      نانوتکنولوژی و میکرو الکترونیک

۱-۴-      فنآوری نانو و فیزیک الکترونیک

فصل دوم ) الکترونیک مغناطیسی

۲-۱- پیش گفتار

۲-۲- انتقال وابسته به اسپین

۲-۳- اصول اولیه

۲-۴- ثبت مغناطیسی

۲-۵- حافظه‌های غیر فرار

۲-۶- کاربردهای آتی

فصل سوم ) مقاومت مغناطیسی و الکترونیک اسپینی

۳-۱- پیش گفتار

۳-۲- مقدمه

۳-۳- مقاومت مغناطیسی عظیم (GMR)

3-4- معکوس مغناطیسی سازی با تزریق اسپینی

۳-۵- مقاومت مغناطیسی تونل زنی (TMR)

فصل چهارم ) حافظه دسترسی اتفاقی (RAM):

4-1- مبانی اصول اولیه

۴-۲- مرور کلی

۴-۳- پیشرفت‌های اخیر

۴-۴- جداره حافظه

۴-۵- حافظه دسترسی اتفاقی Shodow

4-6- بسته بندی DRAM

فصل پنجم ) حافظه با دسترسی اتفاقی مغناطیسی (MRAM):

5-1- مشخصات کلی

۵-۲- مقایسه با سایر سیستم‌ها

۵-۲: الف) چگالی اطلاعات

۵-۲: ب) مصرف برق

۵-۲: ج) سرعت

۵-۳- کلیات

۵-۴- تاریخ ساخت حافظه‌ها

۵-۵- کاربردها

فصل ششم ) حافظه فقط خواندنی (ROM):

6-1- تاریخچه

۶-۲- کاربرد ROM برای ذخیره سازی برنامه

۶-۳- حافظه ROM برای ذخیره سازی داده‌ها

۶-۴- سایر تکنولوژی‌ها

۶-۵- مثال‌های تاریخی

۶-۶- سرعت حافظه‌های ROM

6-6: الف) سرعت خواندن

۶-۶: ب) سرعت نوشتن

۶-۷- استقامت و حفظ اطلاعات

۶-۸- تصاویر ROM

فصل هفتم ) ضبط کردن مغناطیسی :

۷-۱- تاریخچه و سابقه ضبط کردن مغناطیسی

فصل هشتم ) مواد برای واسطه‌های ضبط مغناطیسی :

۸-۱- اکسید فریک گاما

۸-۲- دی اکسد کروم

۸-۳ اکسید فزیک گاما تعدیل شده به واسطه سطح کبالت

فصل نهم ) دیسک‌های مغناطیسی :

۹-۱- سازماندهی دیسک‌ها

۹-۲- برآورد ظرفیت‌ها و فضای مورد نیاز

۹-۳- تنگنای دیسک

۹-۴- فری مغناطیس

فصل دهم ) نوار‌های مغناطیسی :

۱۰-۱- کاربرد نوار مغناطیسی

۱۰-۲- مقایسه دیسک و نوار مغناطیسی

فصل یازدهم) فلاپی دیسک :

۱۱-۱- مبانی فلاپی درایو

۱۱-۲- اجزای یک فلاپی دیسک درایو

۱۱-۲: الف ) دیسک

۱۱-۲: ب) درایو

۱۱-۳ نوشتن اطلاعات بر روی یک فلاپی دیسک

فصل دوازدهم )‌هارد دیسک چگونه کار می‌کند :

۱۲-۱- اساس‌هارد دیسک

۱۲-۲- نوار کاست در برابر‌هارد دیسک

۱۲-۳- ظرفیت و توان اجرایی

۱۲-۴- ذخیره اطلاعات

فصل سیزدهم ) فرآیند ضبط کردن و کاربردهای ضبط مغناطیسی :

۱۳-۱ هدف‌های ضبط

۱۳-۲- کارآیی هد نوشتن

۱۳-۳- فرآیند هد نوشتن

۱۳-۴- فرآیند خواندن

نتیجه گیری و پیشنهادات

پیوست الف )

منابع و مآخذ

منابع ومآخذ

1. M.Baibich et al.,Phys. Rev. Left. 61,2472(1988).
2. Wall Street Journal , 10 November 1997,p.B8.
3. M.Dax , Semi cond. Int. 20 (no.10) , 84 (1977).
4. R.J.Soulen Jr. et al. , Science 282,85(1998).
5. C.Tang et al , LEEE Trans. Magn. 30,3801 (1994).
6. R.E. Scheuerlein , paper presented at the I EEE lnternational Conference on Nonvolatile memorg Technologg , Albuquerque , NM,22 to 24 June (1998).
7. M. Julliere , Phys. Lett. Lett. A 54,225 (1975).

دانلود فایل